三星量产1TB 3D NAND闪存：垂直堆叠层数将超竞争对手

三星正按计划生产超过300层的第九代V-NAND闪存，这是业界层数最多的3D NAND产品。根据公司总裁兼存储器事业部负责人李政培在博客文章中的表述，这种新型闪存采用双层结构，并预计将于明年年初开始量产。三星表示，其3D NAND的有效层数将超过竞争对手，目前我们知道SK海力士的下一代3D NAND将具有321层。

增加闪存设备的存储密度是三星关注的问题之一。同时，该公司还在研究可以最大化V-NAND输入/输出速度的新结构。尽管关于第九代V-NAND在性能方面的具体表现尚未公布，但相信该产品将应用于固态硬盘制造，并可能采用PCIe Gen5接口。

此外，三星还致力于最小化单元干扰、降低高度和最大化垂直层数等技术创新，以实现最小化单元尺寸的目标。这些创新对于推动实现拥有超过1000层的3D NAND以及高度差异化存储器解决方案的愿景至关重要。

报道指出，在IT行业领域中，三星是全球最大的NAND闪存供应商。然而，竞争对手SK海力士正在努力追赶，在2021年就已展示出了一种新型3D NAND闪存芯片，该芯片采用了更复杂的96层堆叠技术。