三星与SK海力士获得美国无限期豁免,无需特别许可即可在中国的工厂安装具有美国技术的制造设备。这无疑对三星来说是个好消息,该公司也采取了相应措施。据Business Korea报道,三星电子已决定将其位于西安的NAND闪存工厂升级至236层NAND工艺。
新设备预计将于2023年底交付,并在2024年陆续引进可生产236层(第8代)NAND的产品。三星决定升级其西安工厂的主要原因是维持全球NAND芯片市场领先地位。由于去年年底开始的半导体市场疲软影响到三星NAND业务,即使是在4月开始采取减产措施后也没有明显改变。因此,三星选择了升级工艺来确保产品的竞争力和价格。相较于第6代NAND技术,第8代新技术的晶圆投入减少了约30%,能够更好地平衡市场供需。
另一个原因就是美国的无限期豁免。三星西安工厂是其唯一的海外存储半导体生产基地,第一工厂投资了108.7亿美元(约合795亿元人民币),第二工厂则先后投资了150亿美元(约合1097亿元人民币)。目前,三星西安工厂已成为世界上最大的NAND制造基地,约占三星NAND总产量的40%。
三星在该领域的巨额投资再加上美国对其豁免待遇,升级生产工艺也在情理之中。

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