台积电国产3nm！联发科首款旗舰芯片成功流片

近日，联发科与台积公司联合宣布，联发科首款采用台积公司3纳米制程生产的天玑旗舰芯片开发进展顺利，已成功流片，并计划明年量产。 联发科总经理陈冠州表示：“联发科在拓展全球旗舰市场的策略上，致力于采用全球最先进的技术为用户打造尖端科技产品，提升及丰富大众生活。台积电稳定且高品质的制造能力，让联发科在旗舰芯片上的优异设计得以充分展现，以高性能、高能效且品质稳定的最佳芯片方案提供给全球客户，为旗舰市场带来前所未有的用户体验。” 台积公司的3纳米制程技术不仅为高性能计算和移动应用提供完整的平台支持，还拥有更强化的性能、功耗以及良率。相较于5纳米制程，台积公司3纳米制程技术的逻辑密度增加约60%，在相同功耗下速度提升18%，或者在相同速度下功耗降低32%。