近日,德国博世公司计划收购位于加利福尼亚州罗斯维尔的美国芯片制造商TSI Semiconductors。据悉,TSI Semiconductors是一家专门生产8英寸硅片芯片的代工厂,主要应用于移动、电信、能源和生命科学行业。未来几年,博世计划在罗斯维尔工厂投资超过15亿美元,并将TSI Semiconductors制造设施改造为最先进的工艺。从2026年开始,第一批芯片将在基于创新材料碳化硅(SiC)的8英寸晶圆上生产。 通过收购TSI Semiconductors,博世正在系统性地加强其半导体业务,并将在2030年底之前大幅扩展其全球SiC芯片产品组合。罗斯威尔的新工厂将加强博世的国际半导体制造网络。从2026年开始,经过重组阶段后,首批SiC芯片将在8英寸晶圆上生产。博世早期就投资了SiC芯片的研发和生产。自2021年以来,该公司一直在斯图加特附近的罗伊特林根工厂使用自有工艺进行批量生产。 到2025年底,该公司将把罗伊特林根的洁净室面积从约35000平方米扩大到超过44000平方米。到2025年,博世预计每辆新车中将平均集成25颗芯片。

评论
更多评论