三星V-NAND获得2019年度行业创新奖

12月26日下午，由ZOL、百度联合举办的智见未来 2019年度星标大奖颁奖盛典于北京金隅喜来登酒店三层大宴会厅成功召开。适逢ZOL成立20周年，暨百度成立20周年，ZOL携手百度，联合打造顶级影响力科技产品评选盛事。

本次2019颁奖典礼中公布了从438款入围产品中经过激烈角逐脱颖而出的星标大奖、行业创新奖、专业选择奖、用户选择奖、年度进取产品。其中，三星V-NAND荣获2019年度行业创新奖，引领产品技术创新，取得了跨越性的突破。

三星第六代V-NAND已经成功实现100+层以上的堆栈技术，凭借着性能高，能耗低等优势目前已经开始大范围量产。内容创作时代的来临使得消费者的存储需求日益增长，这对存储产品的容量和性能都提出了极大的挑战。为了降低成本，提升产品容量，各大闪存原厂不断在闪存原片的堆栈层数上开始发力。三星100层以上的第六代3-bit V-NAND可以在单位面积内，让SSD获得更大容量，并且对内部电路进行优化设计，从而实现在提升产品性能的同时降低功耗的目的。该产品可以说是很好的迎合了未来硬件的发展趋势，相信在物联网、人工智能等带来的大数据存储需求下，我们会见到更多性能、容量表现俱佳的闪存产品。

三星第六代V-NAND（100层+）提升的奥妙之处在于应用到了三星电子有的“通道孔蚀刻”技术，与9x堆栈架构相比大约增加了约 40% 单元。这是通过导电模具堆栈，然后垂直自上而下穿过圆柱孔，形成统一的 3D 电荷撷取闪存 (CTF) 单元实现的。除此之外，由于工序大大减少，所以整体生产效率提高了20%以上。

三星第六代100+层堆栈闪存芯片为了克服读取延迟、错误限制，采用了速度优化的电路设计，使其可实现最快的数据传输速度。与上一代产品相比，性能提高 10% 以上，而能耗降低 15% ，可以说是很好的迎合了未来硬件的发展趋势。

得益于极高的性能和低功耗以及良好的生产效率等因素，三星最新一代的3D V-NAND产品可以在保证优秀性能的基础上保证量产效率。除可以应用在消费级和企业级服务器中之外，还将会大范围应用在汽车市场等智能终端设备中。

目前各大闪存原厂在100层+的堆栈技术研发上总体进度大致相当，不过也已经有更大容量版本的128层4D NAND开始量产。当然除了大容量以外，NAND Flash存储单元间距、功耗、整体性能、投资效益等都是重要的影响因素，相信在物联网、人工智能等带来的大数据存储需求下，三星将会继续为我们带来容量更大、性能更强的闪存产品。

关于ZOL&百度年度颁奖盛典

ZOL&百度2019年度星标大奖评选活动共设立“星标大奖”、“用户选择奖”、“专业选择奖”、“行业创新奖”四大奖项。自11月6日项目启动以来，历时一个月，经过ZOL百人专业评审团严苛甄选，并通过百度权威数据验证及ZOL和百度双方最终确认，12月6日最终入围产品上线，进入在线投票环节，最终大奖于12月26日颁奖盛典上震撼公布。

本次参评产品覆盖：个人电脑、DIY配件及产品、计算机外设产品、游戏硬件设备、移动（通讯）设备、影像产品、音频设备、智能生活、家用显示设备、白色家电、厨卫电器、生活家电、净化产品、商用办公产品、商用显示产品、企业级产品，覆盖16大类别，超70余个细分垂类，共计5.6万多款产品参评，其中438款产品被选入网友投票环节。

5G风起、AI爆发、万物智联！借助2019年度星标大奖颁奖盛典，ZOL携手百度及中国科技产业领袖精英们共同复盘产业迭代，把脉技术趋势，探寻更多创新的突破点。星标大奖不仅为消费者甄选优质科技产品，更成为推动科技产业发展，助力科技企业成长，加速科技产品创新的核心推动力，为最终实现中国科技产业崛起做出积极贡献。