手机耗电再降 Intel推65纳米NOR闪存

英特尔今天宣布出货业界首批65纳米的多级单元（Multi-Level Cell）NOR闪存，其中包括用于手机的超大1Gb产品。

英特尔表示，面向多媒体手机的单芯片、1Gb MLC NOR闪存很快就可以上市。这些多媒体手机大多配备百万像素摄像头，拥有视频功能和高速数据存储功能。新的65纳米MLC NOR闪存提供133MHz的读取速度，每秒可写入1.0MB的数据,写入速度是之前产品的2倍,从而为四百万像素相机和MPEG-4视频提供了更快的响应时间和更出色的存储功能。凭借65纳米的1.8v低电压，再加上深度睡眠模式，手机的电池续航时间也将进一步延长。

英特尔的新产品基于StrataFlash® 蜂窝存储器（M18）架构，并且向下兼容90纳米的闪存芯片，对于制造商来说，过渡到新的生产线非常容易。

英特尔65纳米NOR闪存将进一步降低手机体积和耗电量

“我们的1Gb新产品将使多媒体文件的存储容量增加1倍，厂商基于它还可以制造超小型的手机产品。这两点对消费者来说都是至关重要的。”英特尔闪存产品组副总裁兼总经理Darin Billerbeck说。

英特尔目前正与众多手机厂商保持紧密合作，以使这些企业能够迅速采用全新的65纳米产品。据悉，M18经过验证，可应用于目前市场中最尖端的10款芯片组，同时提供第三方软件支持，为OEM提供了更高的灵活性。来自索尼爱立信和英飞凌科技公司的负责人都表示，英特尔的65纳米新产品提供了便利的升级方案，将大大缩短新产品上市的周期。

英特尔表示在2007年还会提供512Mb、256Mb和128Mb容量的产品。