铠侠规划2028年推PCIe 7.0 SSD，搭载第三代XL-Flash实现亿级IOPS

铠侠近日公布了其超高性能固态硬盘的最新研发规划。根据该路线图，公司计划于2028年推出基于PCIe 7.0接口的下一代旗舰级SSD，目标随机读写性能达到1亿次IOPS。

这一性能目标的核心支撑，是铠侠自主研发的第三代XL-Flash闪存技术。该技术专为高带宽、低延迟数据通路设计，可实现与GPU之间的直接高速数据交互，在系统架构中承担对HBM显存的协同与补充角色。

技术参数显示，第三代XL-Flash相较上一代在读取性能方面提升三倍，写入性能提升一点五倍；能效表现亦显著优化，读取能效提升四成，写入能效提升八成。

为释放极限性能潜力，铠侠对闪存底层结构进行了系统性重构：通过增加单个晶粒内部水平堆叠平面数量，并大幅缩短字线与位线物理长度，最终将读取延迟控制在五微秒以内。

耐用性方面，新产品预计具备十五万至二十五万次的擦写寿命，展现出面向数据中心与高性能计算场景的长期可靠性。

作为当前技术过渡方案，已量产的GP1系列SSD采用PCIe 6.0接口及第二代XL-Flash技术，实测随机IOPS达一千零三十万。该产品提供八百GB SLC规格与一千六百GB MLC规格两种版本，其中SLC模式凭借单层存储单元结构，在稳定性与使用寿命方面具有天然优势。

值得注意的是，此前公布的百亿级IOPS目标原计划于2027年达成，而此次更新将时间节点调整至2028年。这一调整与PCIe 7.0接口标准的演进节奏更为一致，体现出技术落地与产业生态协同推进的务实策略。

关于第三代XL-Flash的具体堆叠层数与封装架构细节，铠侠暂未对外披露。