NAND闪存产能建设需四年，供需失衡或持续至2030年

群联电子首席执行官潘健成近日指出，NAND闪存从资本投入启动建设到实现量产，实际所需周期约为四年，显著长于市场普遍预期的两年。在人工智能应用持续拓展、数据存储需求快速攀升的背景下，NAND闪存市场的供需失衡状况预计将持续较长时间，固态硬盘价格的上行趋势或将延续至2030年。

潘健成表示，业界常有误解，认为存储芯片价格上涨后，原厂可迅速加大投资、扩大产能以缓解供应压力。但现实情况更为复杂。他近期与多家NAND原厂高层深入交流时了解到，即便即刻启动新增产线规划，从立项、建厂、设备安装调试到最终稳定产出合格芯片，整个过程耗时约四年。因此，即便当前价格持续走高，短期内也无法通过新增产能填补供应缺口。

此外，潘健成强调，群联电子不会因短期价格上扬而大规模抛售现有库存。此举虽可能带来即时收益，却会削弱后续供应链稳定性，导致难以保障长期合作客户的项目交付节奏与供货连续性。

综合来看，在新增产能建设周期漫长、人工智能相关存储需求持续释放的双重影响下，NAND闪存的供应紧张并非阶段性现象，而是将贯穿未来数年。根据当前评估，NAND短缺局面预计至少持续四年，期间价格水平将随下游需求增长而呈现显著上升态势。