英特尔推XBM新型内存技术，或成HBM4替代方案，2030年量产

英特尔近期公布了一项名为XBM的新型内存技术专利，该方案被视作HBM4的潜在替代选择，旨在提供更高带宽的数据传输能力。近年来，高带宽内存（HBM）一直是人工智能加速器的主流配置，但随着供应链波动、成本压力及功耗控制需求上升，部分厂商开始转向LPDDR方案，在供应稳定性、综合成本与能效之间寻求更优平衡。

尽管LPDDR在能效比和单颗容量方面具备优势，其带宽上限仍难以满足前沿AI计算日益增长的需求。此前，高通曾提出HBC架构，通过将计算单元与高速内存深度融合，采用3D堆叠工艺实现性能突破。该架构以2D有机基板连接系统级芯片（SoC），底层集成近内存加速模块，并借助硅通孔（TSV）向上堆叠LPDDR DRAM单元，在带宽、能效与扩展性方面相较传统HBM更具潜力。

今年年初，英特尔联合力积电与软银旗下SAIMEMORY共同启动Z-Angle Memory（ZAM）技术研发项目，该技术尚处于探索阶段，尚未进入量产环节。相较而言，XBM被视为英特尔面向下一代高性能计算推出的全新HBM级内存解决方案，预计将于2030年前后实现规模化商用。

根据技术说明，XBM采用后段制程晶体管（BEOL）设计，整体结构包含封装基板、可选的基础逻辑芯片，以及垂直堆叠的存储芯片。每层存储芯片均基于1T1C（单晶体管单电容）DRAM单元构建，而晶体管被移至后端金属互连层，从而提升芯片面积利用率与TSV密度，显著增强带宽表现，较传统前端晶体管DRAM架构优势明显。

XBM采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）互连机制，通过速率高达32 GT/s的UCIe I/O接口与处理器连接，在保持与HBM4相同封装尺寸的前提下，制造成本更具竞争力。单颗XBM芯片容量覆盖0.5GB至5GB范围，同时支持多种先进封装形式，包括MoP（Memory-on-Package），可在紧凑型设备中实现更高带宽与更大容量的统一。

综合技术定位、性能参数及商用节奏判断，XBM与ZAM在研发路径与战略目标上存在高度协同性，二者或构成英特尔未来内存技术布局中的互补体系。