闪迪与铠侠发布BiCS10 3D闪存：332层堆叠、4.8Gb/s速率，主攻AI数据中心

2026年7月3日，闪迪与铠侠联合宣布第十代BiCS FLASH 3D闪存技术BiCS10正式进入样品交付阶段。首颗量产型号为1Tb TLC规格，采用332层垂直堆叠结构。

BiCS10延续了BiCS8所确立的两项关键工艺路线。第一项是CMOS直接键合至存储阵列技术，即逻辑控制电路与存储单元分别在独立晶圆上完成制造，再通过高精度晶圆级对准与键合实现集成；第二项为间距选择型栅极漏极工艺，通过对存储单元空间排布的精细化调控，显著提升单位面积内的存储容量。这两项成熟工艺的持续优化，为BiCS10达成332层堆叠高度及4.8Gb/s高速接口性能奠定了坚实基础。

在性能指标上，BiCS10的NAND接口速率提升至4.8Gb/s，相较前代BiCS8提高33%；位密度增长59%，达到29Gb/mm²以上，处于行业领先水平。能效方面，输入功耗下降10%，输出功耗降低34%，写入与读取能效分别提升18%和30%。

技术适配方面，BiCS10全面支持Toggle DDR6.0接口规范、SCA协议以及PI-LTT低功耗技术，进一步强化其在高负载场景下的稳定性与效率。

据市场预测，2026至2028年全球NAND闪存整体出货容量年均复合增长率预计为22%，其中数据中心应用领域增速将达46%。

BiCS10目前定位明确，暂不面向消费市场，亦未公布单颗芯片定价信息。该技术将率先应用于企业级固态硬盘及数据中心级存储解决方案，重点服务于人工智能训练与推理任务，以及大规模云服务环境下的高吞吐、低延迟数据处理需求。