三星发布全球首款AI优化UFS 5.0闪存，带宽10.8GB/s、能效提升40%

三星电子于2026年6月23日宣布，成功研发全球首款面向设备端人工智能应用的通用闪存存储UFS 5.0产品系列。该系列产品专为支持终端设备内部高效AI运算而设计，显著强化本地智能处理能力。

UFS 5.0采用三星第九代V-NAND闪存技术，严格遵循JEDEC组织最新发布的嵌入式存储接口规范。其理论数据传输带宽达10.8GB/s，顺序读取速度为10.8GB/s，顺序写入速度为9.5GB/s，整体性能较前代UFS 4.1提升一倍。

在能效表现上，UFS 5.0相较上一代提升逾40%。这一优化得益于时钟门控与多电压调节两项关键技术的协同应用：前者可在电路非工作时段自动切断信号路径，后者则依据不同模块的实际需求动态分配最优供电电压，从而在保障性能的同时显著降低能耗与温升。

产品封装尺寸为7.5毫米×13毫米×0.9毫米，较上一代缩小16.7%，更紧凑的结构为智能手机、可穿戴设备及扩展现实终端等空间受限场景提供了更高设计自由度与内部空间利用率。单颗芯片最高支持1TB存储容量。

三星计划于2026年第四季度启动UFS 5.0大规模量产，并面向旗舰级智能手机、扩展现实头显及新一代AI驱动的可穿戴设备等前沿终端市场全面供货。

三星电子存储器事业部高级副总裁崔章锡指出，在设备端人工智能加速普及的当下，存储性能已成为影响终端AI体验的核心要素之一。根据市场研究机构最新统计，三星电子在2026年第一季度NAND闪存市场占有率达31.6%，营收约为135亿美元，环比增长104.7%。