铠侠Gen10 NAND闪存以332层实现能效、成本与可靠性全面突破

随着存储容量需求持续增长，NAND闪存的堆叠层数近年来显著提升。目前，部分国际头部厂商已实现400层以上的量产工艺。然而，作为NAND闪存技术的开创者，铠侠此次并未将堆叠层数作为首要突破方向。

近期，铠侠正式发布第十代BiCS闪存——Gen10。相较上一代Gen8，该产品在多项关键指标上实现明显进步：存储密度提升59%，读取速度提高15%，写入速度提升25%，读取功耗降低40%，写入功耗下降30%。

在堆叠结构方面，Gen10由Gen8的218层增至332层，增幅达52%。尽管这一数字低于部分竞品所宣传的400层以上水平，但铠侠强调，层数并非衡量性能与价值的唯一维度。根据其公布的数据，在与主流400层以上方案的横向对比中，332层设计使单位GB制造成本降低近10%，能效提升逾10%，器件可靠性增强超过35%。

需要指出的是，上述对比聚焦于成本、功耗与可靠性等综合指标，未直接呈现存储密度参数。而就单位面积存储容量而言，更高堆叠层数通常具备先天优势，这也是部分厂商持续推进层数提升的重要动因。

在接口性能方面，铠侠依托自研的CMOS直接键合（CBA）技术，计划于2029年实现4.8Gbps的接口速率。届时，行业主流水平预计仍处于3.6Gbps区间，铠侠有望在该技术路线上保持约四年的领先优势。

此外，在闪存晶圆级键合技术领域，除国际主要厂商外，国内企业长江存储同样已形成具有自主特色的技术积累与量产能力。