铠侠推BiCS9 3D闪存：230层堆叠、4.8Gbps接口，聚焦能效与移动存储

铠侠于2026年7月30日正式开启第九代BiCS FLASH 3D闪存芯片的送样工作，首批送样型号为单颗容量1Tb的TLC颗粒。

本次推出的BiCS9芯片聚焦中低容量存储应用，以兼顾性能提升与能效优化为目标。不同于行业近年普遍追求堆叠层数极限的发展路径，铠侠在本代产品中选择更为务实的技术路线，通过整体架构的深度优化实现综合性能跃升。

该代产品采用230层三维存储阵列结构，物理堆叠层数与上一代BiCS8基本持平，但核心电路设计完成全面重构。其中，逻辑单元制造工艺已提前引入面向下一代BiCS10平台的先进CMOS制程，同时NAND接口数据传输速率提升至4.8 Gb/s。尽管堆叠层数未大幅增加，但单位面积下的数据处理效率和访问延迟获得明显改善，有助于终端厂商开发功耗更低、响应更快的固态存储产品，尤其适用于接口带宽受限的移动计算设备。

铠侠同步披露了后续技术演进规划：第十代BiCS FLASH将把存储阵列堆叠层数提升至332层，重点面向超大规模数据中心及高性能服务器场景，以支持更高集成度与更大单芯片容量的需求。

目前，BiCS9芯片仍处于客户送样阶段，量产时间、市场定价及实测性能参数尚未公布，搭载该芯片的终端产品亦未发布。其在批量生产过程中的长期可靠性表现，以及与各类主控方案的协同适配能力，有待进一步验证。