2026年5月15日消息,据韩国媒体报道,三星电子正积极推进下一代高带宽内存技术的研发,旨在为智能手机、平板电脑等移动终端提供更强的端侧人工智能运算能力。
为突破移动设备在空间、功耗与散热等方面的严苛限制,三星正在开发一种基于扇出型晶圆级封装的多层堆叠技术。该技术不同于服务器领域已成熟的HBM方案,而是专为移动平台量身定制,在极小尺寸内实现更高容量与更宽数据通路。
当前主流移动设备普遍采用引线键合工艺连接内存芯片,但其输入输出接口数量有限,信号传输损耗较高,热管理能力不足,难以支撑HBM所需的高密度互连需求。为此,三星拟升级垂直互连结构,将芯片内部铜柱的纵横比由现行的3:1至5:1大幅提升至15:1至20:1,从而在同等芯片面积下集成更多互联通道,显著提升数据带宽。
然而,当铜柱直径缩小至10微米以下时,易发生弯曲或断裂等物理失效问题。为解决这一瓶颈,三星引入扇出型晶圆级封装作为增强手段:先对芯片实施模塑封装,再将布线结构向芯片边缘延展,既扩展了互连区域,又为细密铜柱提供机械支撑,有效抑制形变。
若该技术路径顺利通过验证,预计可实现15%至30%的带宽提升,并在相同物理空间内容纳更多输入输出接口。
目前该方案仍处于研发阶段,但行业分析普遍预期,相关技术有望率先应用于Exynos 2800的后续迭代版本,或直接整合进下一代Exynos 2900芯片平台。

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