英特尔代工发布高密度嵌入式电容技术

在2025年国际电子器件大会期间，英特尔代工展示了面向人工智能时代系统级芯片设计的一项关键技术进展——新一代嵌入式去耦电容器。该成果旨在应对晶体管尺寸持续缩小所带来的供电挑战，为AI及高性能计算芯片提供更高效、更稳定的电源支持。

在材料层面，研发团队提出了三种新型金属-绝缘体-金属结构的电容器材料，均适用于深沟槽工艺架构。其一为铁电性铪锆氧化物，依托其自发极化特性，在纳米尺度下实现高介电常数；其二为二氧化钛，具备优良的介电性能与热稳定性；其三为钛酸锶，作为一种钙钛矿结构材料，在深沟槽中展现出优异的电容密度表现。上述材料均可通过原子层沉积技术在复杂三维结构中实现均匀、精确的薄膜生长，有效提升界面质量并增强器件长期运行的可靠性。

在性能方面，新技术实现了显著突破。电容密度达到每平方微米60至98飞法，较现有先进水平有明显提升；漏电流水平低于行业目标达三个数量级，显著降低静态功耗；同时在电容漂移和击穿电压等关键可靠性指标上保持稳定，未出现退化现象。

从系统设计角度，该技术可带来多重优势。首先，提升了电源完整性，有效抑制电源噪声与电压波动，保障电路稳定运行。其次，支持电热协同优化，有助于改善高功率密度芯片的热管理，提升整体能效。此外，更高的集成电容密度可在有限芯片面积内释放更多空间，利于功能模块的紧凑布局，推动芯片小型化与集成度提升。

随着先进CMOS工艺不断演进，此类高密度、低漏电且稳定性强的MIM电容器技术展现出广阔的应用前景。未来，英特尔代工将持续推进相关创新，致力于为人工智能时代的高性能计算平台提供核心电源管理技术支持。