SK海力士成功研发HBM4并实现量产，引领AI高性能存储技术

SK 海力士近日宣布，已成功完成新一代高性能存储器 HBM4 的研发，并在全球范围内率先建立量产体系。该产品专为满足人工智能领域的高性能需求而设计，代表了当前存储器技术的前沿进展。

HBM4 是高带宽存储器技术的最新一代产品，采用多达 2048 条数据传输通道，相较上一代产品提升了一倍。这不仅使数据带宽实现翻倍，还带来了超过 40% 的能效提升。凭借这一突破，HBM4 在数据处理速度和能效方面达到全球领先水平。

SK 海力士指出，将 HBM4 应用于客户系统后，AI 服务的运行性能最高可提升 69%。该产品的高性能表现有助于缓解当前 AI 运算中的数据瓶颈问题，并有效降低数据中心的整体能耗。

在性能指标方面，HBM4 的运行速度可达 10Gbps 以上，显著高于 JEDEC 标准规定的 8Gbps。这一提升使其在高速运算领域具备更强的竞争力。

为确保产品稳定性和量产可行性，SK 海力士在 HBM4 的研发过程中应用了自主开发的 MR-MUF 技术以及第五代 10 纳米级（1b）DRAM 制程工艺。这些技术已在市场上得到验证，为产品的稳定量产提供了保障。

HBM（高带宽存储器）技术自推出以来，已经历多次迭代，目前已发展至第四代。此次 HBM4 的成功研发和量产体系的建立，进一步巩固了公司在高端存储器市场的技术领先地位。