中国加速HBM国产化布局，长江存储与长鑫存储合力攻坚人工智能内存技术

中国在推动高带宽内存（HBM）国产化方面持续发力，这对其在人工智能计算领域的发展至关重要。

最新消息显示，长江存储正在积极布局DRAM内存领域，并有意与长鑫存储展开合作，共同攻克HBM内存的技术难题。业内人士认为，两家企业具备良好的互补优势。长鑫存储在DRAM技术方面积累了丰富经验，而长江存储则拥有先进的Xtacing晶栈架构，该技术在内存键合与封装方面具有潜力，尤其适用于HBM产品在提升带宽与改善散热方面的设计需求。

据报道，长鑫存储在HBM2标准的研发上已取得重要进展，样品已送至客户测试，预计将于明年中期实现小批量生产。与此同时，该公司也正加快HBM3的研发节奏，预计最快可在2026年至2027年完成，甚至有望同步实现对HBM3E标准的支持。

在行业协作方面，中国企业正逐步形成合力。例如，长江存储与武汉新芯正专注于封装技术研发，而通富微电子则在组装环节提供支持，体现了产业链上下游的协同推进。

尽管在HBM技术上，中国厂商与SK海力士、三星和美光等国际领先企业仍存在差距，但近年来技术追赶的步伐显著加快，展现出较强的发展潜力。