三星预计2028年推出首款LPW DRAM 比现有技术低54%

据韩媒SEDaily现场采访报道，三星电子DS部门首席技术官Song Jai-hyuk在美国加州旧金山当地时间17日在IEEE ISSCC 2025国际固态电路会议全体会议上表示，首款针对设备端AI应用优化的LPW DRAM内存产品将于2028年发布。

LPW是LPDDR Wide-IO的简称，其是一种类似LPDDR但具有更高I/O位宽的移动端内存产品。它在引入更多I/O通道的同时降低了每个通道的数据传输速率，以实现高带宽低功耗的目标。

此外，LPW DRAM在结构上改变了多层DRAM堆栈组合方式：它将采用结合RDL（重布线层）的垂直引线键合取代目前的传统引线键合，从而实现更小的封装尺寸和更优秀的能效表现。

三星电子宣称，LPW DRAM的带宽可达200GB/s以上，较现有的LPDDR5x提升166%；同时其功耗降至1.9pJ/bit，比LPDDR5x低54%。