美光成功量产超高带宽内存！

近日，全球领先半导体制造商美光公司宣布已成功量产其全新的HBM3E高带宽内存解决方案。这款高性能内存将被应用于英伟达最新一代H200 Tensor Core GPU中，并计划于2024年第二季度开始发货。

据悉，美光的HBM3E内存具有卓越的性能和可靠性。它拥有超过9.2Gb/s的引脚速率，使得其在大数据处理和人工智能计算方面的表现非常出色。此外，相较于竞品产品，美光的HBM3E内存功耗降低了约30%。

目前，美光推出的HBM3E内存容量为24GB，可以满足数据中心对人工智能应用不断扩展的需求。然而，这并非他们研发能力的极限。该公司还计划在2024年3月推出12层堆叠的36GB容量的HBM3E内存产品。

美光表示，在未来的发展过程中，他们将继续致力于开发更多先进、高效、可靠的大数据处理解决方案。同时，他们也将赞助即将开幕的英伟达GTC全球人工智能大会，以展示他们的前沿AI内存产品系列和未来规划。