美光成功出样128GB DDR5内存：单芯片设计 12TB容量

美光近日宣布，他们已经成功出样一条128GB容量的DDR5内存。这款内存使用了该公司今年初宣布的32Gb（4GB）DDR5颗粒。此外，美光这种32Gb DDR5颗粒是一种单芯片设计，而非多芯片整合封装，这意味着其存储密度较高，也更容易制作成大容量内存条。 关于这款内存的具体信息非常有限，美光只公布了采用1βnm制造工艺，基于DUV多重曝光，但并未公布是否使用EUV技术。此外，频率、功耗和电压等信息并未公开，理论上要比使用两颗16Gb的内存更省电。 使用这种颗粒，美光只需四颗就能制作出标准的桌面32GB和服务器128GB内存条，甚至有可能达到单条1TB的容量。如此一来，单路系统最大容量将会达到12TB。然而，美光并未公布128GB DDR5内存条何时大规模出货，以及1TB版本何时推出，只是预计在明年年初自家DDR5内存的出货量将超过DDR4。 同时，三星也已经完成32Gb DDR5颗粒的研发，技术制程为12nm级别。