今天产业链消息称,在公开场合某国产半导体公司透露,新一代的刻蚀设备可用于5nm以下的逻辑工艺、1Xnm的DRAM芯片和128层以上的3D NAND芯片等产品,也就是说可能国产芯片厂即将攻破5nm芯片的制造和设计。
公司开发的12英寸高端刻蚀设备已运用在国际知名客户65nm到5nm等先进的芯片生产线上;同时,公司根据先进集成电路厂商的需求,已开发出小于5nm刻蚀设备用于若干关键步骤的加工,并已获得行业领先客户的批量订单。
今天产业链消息称,在公开场合某国产半导体公司透露,新一代的刻蚀设备可用于5nm以下的逻辑工艺、1Xnm的DRAM芯片和128层以上的3D NAND芯片等产品,也就是说可能国产芯片厂即将攻破5nm芯片的制造和设计。
公司开发的12英寸高端刻蚀设备已运用在国际知名客户65nm到5nm等先进的芯片生产线上;同时,公司根据先进集成电路厂商的需求,已开发出小于5nm刻蚀设备用于若干关键步骤的加工,并已获得行业领先客户的批量订单。
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