笔记本电脑内存技术将何去何从

内存是整个PC系统中发展较慢的一个部分，它的走向很大程度上受到了芯片组的限制。比如Rambus内存技术，在Intel放弃了之后，几乎立刻从内存市场中退出了。而QDR虽被很多人认为是一种技术上实现简单、成本相对较低的未来内存技术，不过也是因为缺少主力芯片组厂商的支持，而迟迟不能大面积地普及和推广。

自从笔记本进入Pentium Ⅲ时代以来，笔记本内存类型基本上统一为了144线、SO-DIMM接口的SDRAM内存。之后，笔记本内存技术就一直非常保守地走在台式机应用的后面。它没有追求最新的技术，也没有追求最出众的性能，它需要的是成熟、稳定，而且还需要考虑功耗、散热等问题，因此一般不要希望在笔记本身上看到领先于台式机的内存技术。

更重要的是，笔记本内存技术几乎没有选择的权力，它往往被笔记本芯片组所选择。比如，Intel 815EM、Intel 830M芯片组时代，DDR内存已经相当成熟了，并且较为普遍地应用于台式机，但是这两款应用广泛的芯片组依然选择了SDRAM内存，甚至从来没有进一步升级的打算。当台式机内存从DDR200、DDR266、DDR333过渡到DDR400内存技术时，笔记本内存还处于DDR200/266的时代。

从附表中可以了解到，除了一些超轻超薄型的笔记本还在使用低电压版本的Mobile Pentium Ⅲ处理器之外，目前主流、高端笔记本都在使用Pentium 4-M和Pentium M处理器。同时，我们也能看到其所使用的内存大多都是DDR内存，这也是目前最主流的笔记本内存技术。

主流笔记本内存

虽然Mobile Pentium Ⅲ-M处理器正在逐渐淡出主流市场，但是大量的用户依然在使用这个级别的笔记本。为了进一步提升这些笔记本在现有应用中的性能，部分用户选择了升级配件的途径，其中对内存和硬盘进行升级，还能有不错的性能提升。

Mobile Penitum Ⅲ-M笔记本大都使用了144线SO-DIMM接口的SDRAM内存模组，根据速度的不同分为PC66、PC100、PC133。现代、金邦、Kingmax、Kingston、Kinghorse、Trancend都是不错的选择。

特别需要说明的是，在超薄型笔记本中所使用的内存为Mirco-DIMM接口，而非SO-DIMM，比如SONY的SR系列、TR系列和Toshiba Portege系列都使用了这种体积只有SO-DIMM接口内存一半的类型。这种内存一般为双面，正反各两片芯片，最高容量可以达到256MB，其供电电压也是3.3V。

目前各个笔记本厂商主推的Pentium 4-M和Pentium M笔记本都采用了DDR SDRAM内存模组。想必各位读者对于DDR SDRAM内存技术并不陌生，它可以在相同的工作频率下，具有比SDRAM高出一倍的数据传输带宽。它是在SDRAM内存技术基础上的改进和扩展，可以分别在时钟的上升沿和下降沿各传输一次数据，从而使数据输出带宽提高一倍。与同频的SDRAM相比，它的数据输出带宽提升了一倍，但是其功耗并不会增加，而且由于采用了2.5V供电电压，功耗比同频的SDRAM有了进一步的降低。

现在的笔记本芯片组主要支持DDR200、DDR266和DDR333三种规格的DDR内存模组，它们分别可以提供1.6GB/s、2.1GB/s和2.7GB/s的带宽。

笔记本内存未来发展

相对于台式机笔记本内存技术，笔记本内存技术一般会滞后一些，这是由于笔记本应用的一些特点所决定的。不过，其技术还是在不断地前进。如今，有三种笔记本内存技术值得我们期待，那就是双通道内存技术、DDRⅡ技术和XDR技术。

目前，双通道内存技术已经在台式机上广泛应用了，但笔记本电脑上却还没有采用。双通道技术并不是内存本身的技术，而且内存控制器的技术。

比如nVIDIA nForce/nForce2系列芯片组、Intel 850系列芯片组、Intel E7xxx系列芯片组、Intel 865/875系列芯片组，它们都应用了双通道内存控制技术。双通道内存控制技术是在现有的内存基础上倍增内存接口位宽，进而增加内存带宽的技术。双通道内存控制技术无需提升内存工作频率，就能使得内存带宽同处理器FSB带宽相匹配。因为提升工作频率会让内存的功耗有较大幅度的提高，从这一点考虑，双通道技术比高主频内存更适合于笔记本应用。更重要的是，据说Intel很可能会在下一代的笔记本芯片组中应用此种技术。

DDRⅡ是在DDR技术基础上的改进，它可以在较低的频率下具有更高的性能，更良好的稳定性、更低的功耗和更低的制造成本。它的工作电压只有1.8V，比DDR的2.5V低了很多，这也使得其功耗大大低于DDR（一颗DDR266芯片的功耗约为418mW，而一颗DDR II 533芯片的功耗仅为304mW）。仅仅从功耗方面，我们就能预测这种技术在笔记本领域应用的光明前景。

XDR技术是另外一种内存技术，目前还不清楚具体的技术指标，不过，在理论上讲，它是另一种值得期望的技术。它的芯片核心频率并不高，只有300～500MHz，因此功耗和发热量也不会很高。目前，SONY正在开发的PS3游戏主机、IBM正在开发的超级大型机系统中，都计划应用此种内存技术。预计，此种技术将在几年后应用在笔记本中。

根据相关资料显示，0.09微米制造工艺的成熟，对于笔记本应用绝对是一个好消息。不但CPU可以应用这种技术，内存芯片也会应用这种制造工艺，内存芯片的性能还可以在功耗不增加甚至降低的前提下提升，笔记本内存也许不再是笔记本系统的性能瓶颈所在了。