Nagare Labs推无电容Z2RAM内存架构，有望突破AI芯片内存墙

2026年11月7日，由前英特尔首席执行官帕特·基辛格参与领投的初创企业Nagare Labs，宣布其自主研发的Z2RAM内存架构取得关键进展。该架构以无电容设计为核心思路，旨在突破当前AI芯片在存储速度与集成密度之间难以兼顾的技术瓶颈。

传统动态随机存取存储器（DRAM）依赖独立电容存储电荷，读取操作会导致电荷释放，因而必须立即执行回写，这一机制带来显著延迟。Z2RAM则另辟路径，取消专用电容，转而利用第二个晶体管的栅极自身电容来维持数据状态。由于读取过程不破坏所存电荷，无需回写步骤，因此在理论延迟上具备明显优势。

实测数据为该技术提供了有力支撑。在85摄氏度高温环境下，Nagare Labs研制的研究型存储单元实现了超过300秒的数据保持时间；相比之下，采用常规三晶体管结构的同类单元在同一温度下仅能维持约100毫秒。这一结果表明，Z2RAM在AI芯片普遍面临的高热运行场景中，已展现出良好的热稳定性基础。

制造可行性方面，Z2RAM采用氧化物半导体材料，兼容标准后段工艺流程。多层存储结构可通过单次光刻曝光同步形成，全程无需依赖极紫外光刻设备，从而有望显著降低量产门槛与制造成本。

需要明确的是，当前300秒的数据保持时间来自实验室环境下的单单元实测结果；而初代产品所提出的五倍于静态随机存取存储器（SRAM）的存储密度、十四倍于DRAM的访问速度等指标，仍处于设计目标与仿真验证阶段，尚未在完整芯片层面完成综合验证。

根据研发路线图，Nagare Labs计划在四年内交付可运行的工程样品。帕特·基辛格曾公开表示，其关注的技术必须相较现有方案实现至少十倍级的性能跃升。Z2RAM能否顺利从实验室原型跨越至实际晶圆厂流片，将直接关系到AI芯片长期受制的内存墙问题，是真正被实质性突破，还是继续停留在概念阶段。