2026年11月4日,最新市场数据显示,全球动态随机存取存储器(DRAM)合约均价于今年10月再度刷新历史高位,而NAND闪存合约均价则维持在上月所达的年内最高水平。
行业分析机构预测,2026年第四季度DRAM价格将继续呈现环比上升态势;NAND闪存领域中,多层式存储单元(MLC)与单层式存储单元(SLC)的价格走势或将出现明显差异。
根据专业存储市场研究机构发布的数据,10月通用型DRAM产品(DDR4 8Gb 1Gx8)的平均合约价格为27.5美元,较9月的26美元上涨5.77%。若以2016年6月该机构启动系统性追踪时的2.9美元为基准,当前价格已累计增长约9.5倍。
该机构进一步指出,2026年第四季度个人电脑用DRAM合约价格预计环比上涨13%至18%。
本轮DRAM价格持续走高的核心动因在于主要存储制造商对产能布局的主动调整:厂商将新增产能优先投向服务器内存领域,同时显著缩减面向个人电脑市场的DRAM供应规模。据预估,韩国主要DRAM制造企业2027年面向PC市场的DRAM产量将较2026年下降逾20%。
尽管现阶段全球个人电脑终端需求仍处于低位,但受持续加剧的供给紧张影响,PC用DRAM价格上行趋势有望延续。
据悉,在本季度合约谈判过程中,部分上游厂商曾提出15%至20%的涨价幅度,但因下游客户普遍持谨慎态度,大额订单成交进展缓慢。不过,综合供需格局判断,供应短缺局面短期内难以缓解,11月新签署合约的价格基准预计将较10月小幅上调。

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