三星发布2026 AI内存技术路线：HBM5、CXL内存池化与存算一体齐推进

三星电子于2026年10月13日在OCP全球峰会期间正式发布下一代内存与存储技术发展路线，并同步呈现与全球领先科技企业协同推进的阶段性成果。

为应对人工智能基础设施日益增长的性能需求，三星重点布局三大技术方向：高带宽存储器技术、基于Compute Express Link架构的内存扩展方案，以及面向大规模AI工作负载优化的新一代固态存储系统。

在内存扩展领域，三星电子与AMD联合完成基于CXL协议的内存池化解决方案演示。该方案依托CMM-D技术实现跨多台服务器的内存资源统一调度与弹性分配，显著增强人工智能训练与推理场景下对大容量内存的动态响应能力。

作为支撑AI算力发展的核心支柱，三星的先进存储器与晶圆代工能力正持续融入全球头部科技企业的基础设施建设进程。今年以来，多家国际科技巨头高层相继到访三星电子总部，深入探讨关键技术合作路径。其中，AMD首席执行官苏姿丰于本月上旬访问韩国期间明确表示，将持续深化与三星电子在存储器设计及先进制程代工等关键领域的协同创新。

在本次峰会上，三星电子应用工程高级副总裁Ho-Jun Sim围绕“面向人工智能时代的可扩展内存创新：保障计算持续全速运行”发表主题演讲。他指出，随着大模型参数规模与推理数据量持续攀升，键值缓存需求急剧增长，单一依赖带宽提升已难以满足系统整体效能要求；内存容量的弹性扩展、数据的高效存取与智能管理，已成为决定AI系统性能上限的关键维度。

在性能层面，三星正加速推进HBM5、定制化HBM、zHBM以及存内计算（PIM）等前沿内存技术落地，全面提升数据吞吐效率与能效比；

在可扩展性层面，通过CMM-D与CXL深度融合，构建支持横向扩展的内存资源池，实现容量按需增长与低延迟访问；

在持久化存储层面，依托QLC NAND、FDP闪存架构及新一代高性能SSD平台，持续突破AI数据在存储密度、读写吞吐与生命周期管理等方面的综合能力边界。