2026年Q2内存价格飙升：DRAM与NAND全线暴涨，终端产品集体提价

2026年第二季度，消费级动态随机存取存储器市场经历了一场罕见的价格剧烈波动。受人工智能产业对高带宽内存需求激增的影响，全球晶圆厂持续将产能向HBM倾斜，通用型DRAM供给显著收缩，导致DDR4内存价格较上一季度上涨约百分之五十，低功耗DDR内存涨幅更达百分之八十九，终端用户普遍感受到内存采购难度加大、成本压力陡增。

各类主流内存模组在本季度均出现大幅提价。与此同时，非易失性存储芯片价格亦同步走高。512GB NVMe第四代固态硬盘均价升至一百二十六点三美元，环比上涨百分之五十四；256GB UFS 3.1闪存单价由三十一点零美元跃升至六十二点七美元，涨幅逾百分之一百零三；16GB eMMC 5.1闪存价格上涨百分之六十九；而集成式多芯片封装方案uMCP的价格增幅更达百分之一百零七。

作为个人电脑、智能手机及游戏主机的关键基础元件，DRAM与NAND闪存的价格变动迅速传导至整机终端。主流笔记本电脑与智能手机产品线已全面上调零售价格，游戏主机亦随之调价。近期发布的新型游戏设备因整体成本攀升，定价明显高于市场预期，市场接受度受到抑制，内存与存储组件成本上升构成重要影响因素。回溯至一年前，16GB DDR4内存条的常规零售区间为六十至七十美元，16GB DDR5模块则处于九十至一百美元之间；如今同类产品价格已升至原价的两至三倍。同样地，1TB容量的第四代NVMe固态硬盘曾以七十至八十美元为常见促销价位，当前即便参与折扣活动，售价仍普遍维持在一百三十至一百五十美元区间。

由于厂商将晶圆制造资源持续向高附加值的HBM产品倾斜，面向消费市场的DRAM供应自2025年下半年起便持续紧张，至今未见实质性改善。业内分析指出，此轮价格高位运行态势或将延续至2028年。