三星首发HBM4E高带宽内存：带宽提升20%，专为AI大模型优化

三星电子已向业界交付首批高带宽内存HBM4E样品。该产品相较上一代HBM4，带宽提升百分之二十，峰值可达每秒三点六太字节，专为强化大语言模型及新一代人工智能系统的运算效能而设计。

HBM4E整合了一纳米级DRAM裸晶与四纳米级逻辑裸晶，依托创新的低功耗架构与精进的封装结构，在性能与能效两方面实现同步优化。当前推出的十二层堆叠版本提供四十八吉字节容量，后续将依据市场需求，陆续推出八层堆叠三十二吉字节及十六层堆叠六十四吉字节等多样化配置。

在完成样品交付及协同优化工作后，三星电子将依照客户研发与量产节奏，有序启动HBM4E的大规模生产。