三星SK海力士加码AI内存扩产

2025年12月22日，韩国两大存储芯片企业三星与SK海力士正加速推进内存产能扩张，以应对人工智能领域带来的强劲需求。

三星电子近期不仅提高了韩国本土DRAM和NAND闪存生产线的运行效率，更将资源集中于高带宽内存（HBM）等高端产品的制造。此外，公司已于11月重启平泽第五工厂的建设工作，计划于2028年启动量产，旨在增强其在先进存储技术领域的供应能力。

与此同时，SK海力士位于清州的M15X新工厂已进入投产前的关键准备阶段，该工厂将专注于DRAM及面向AI应用的存储解决方案。据业内高层透露，SK海力士正力争在2027年之前完成龙仁半导体园区内的首座晶圆厂建设，该项目整体规模相当于六座M15X级别工厂，显示其对未来市场需求的积极布局。

随着人工智能相关应用的快速发展，市场普遍预期对高性能存储芯片的需求将在未来数年持续攀升。产能已成为企业保持竞争优势的核心要素。数据显示，全球DRAM市场规模预计到2026年将增长至1700亿美元，相较2024年的1000亿美元有显著提升。