三星电子夺回全球DRAM市场第一，HBM与涨价双轮驱动

2025年11月20日，三星电子在第三季度重回全球DRAM市场销售额首位，得益于高带宽内存（HBM）出货量的大幅提升以及通用DRAM产品价格的持续上涨，推动其季度销售额创下历史新高。

根据市场研究机构CFM于11月19日发布的数据，三星电子该季度DRAM销售额达139.42亿美元，较上一季度增长29.6%，市场份额回升至34.8%，再度位居行业第一。此前由于HBM市场需求短期波动，三星在上半年一度失去领先地位；但从第三季度开始，公司业务显著回暖，展现出强劲复苏势头。

同期，SK海力士以137.9亿美元的销售额位列第二，占据34.4%的市场份额，与三星差距仅为0.4个百分点，头部企业之间的竞争依然胶着。美光科技排名第三，销售额为89.84亿美元，市场份额为22.4%。

分析指出，三星电子此次业绩回升主要受两大因素驱动：一是HBM产品供应能力提升，二是通用DRAM市场价格持续走强。第三季度，三星HBM位单元出货量环比增长85%，主要得益于向NVIDIA开始交付第五代HBM3E产品。与此同时，人工智能数据中心对高性能内存需求激增，导致消费类电子产品如个人电脑和智能手机所用DRAM供应紧张，进一步推高市场价格。

本季度全球DRAM市场整体规模也达到历史新高，总销售额为400.37亿美元，环比增长24.7%，同比增长高达54%。NAND闪存市场同样表现亮眼，季度销售额达184.22亿美元，较前一季度上升16.8%。

在NAND闪存领域，三星电子继续扩大领先优势，实现销售额53.66亿美元，市场份额达29.1%。SK海力士、铠侠、西部数据和美光分别以19.2%、16.5%、12.5%和12.2%的份额位居其后。

展望第四季度，研究机构认为，随着各应用场景对存储器需求的持续攀升，叠加厂商库存维持低位，存储产品价格有望延续上涨趋势，全球存储市场整体规模预计将在下一季度再创新高。