高通骁龙X2 Elite Extreme首发双3nm工艺

9月26日，高通向德国媒体确认，其此前发布的旗舰级Windows on Arm PC芯片平台骁龙X2 Elite Extreme采用了两种不同的台积电3纳米制程工艺。该处理器为全球首款运行频率达到5GHz的Arm架构处理器，配备总计18个CPU核心，其中包括12个Prime核心与6个Performance核心，其中两个Prime核心可在加速状态下运行于5GHz频率。

为实现这一高频表现，高通在芯片设计中以台积电N3P工艺为基础，同时针对部分核心引入了支持更高工作电压的N3X工艺。尽管N3X工艺有助于提升性能释放，但也伴随着更高的漏电流与相对较低的能效表现。通过将N3P与N3X工艺协同整合，该芯片在追求极致性能的同时，兼顾了设备的整体续航能力。

这一设计依托于台积电的FinFlex技术，能够在单一芯片的单片集成结构中融合同一制程节点下的不同工艺变体，从而实现更灵活的性能与功耗平衡。高通借此在新一代PC处理器平台上展现了更具针对性的能效优化策略。