台积电亚利桑那Fab 21晶圆厂第二阶段调整：3nm与2nm工艺混合布局

根据最新消息，来自供应链的消息显示，台积电在亚利桑那州凤凰城建设的Fab 21晶圆厂集群的第二阶段（P2）产能规划将进行调整。原本计划仅部署3nm工艺的P2厂区，现将改为同时支持3nm FinFET与2nm GAA两种工艺的混合型产线。

目前，P2厂正在进行内部洁净室建设与机电系统整合，预计将于2026年10月开始安装生产设备。整个厂区分为A、B两个区域，A区将持续推进3nm FinFET技术的制造能力；而B区则提前引入2nm GAA工艺，无需等到后续阶段的P3厂完工即可展开布局。

据称，P2厂有望于2027年第二季度建成用于技术验证的小型试点产线，并预计在同年第四季度正式进入量产阶段，这比原先预期的2028年时间表有所提前。

此外，早前建成的P1厂区，已具备5nm及4nm FinFET工艺的量产能力，并已在本年度第二季度为公司带来税后净利贡献。