三星引入干式光刻胶技术推动DRAM工艺升级

据韩国媒体报道，当地时间6月10日，三星电子宣布在DRAM内存制造领域率先引入干式光刻胶（Dry PR）技术，并计划将其应用于即将正式推出的第六代10纳米级工艺（1c nm）。

据了解，三星已经完成了用于干式光刻胶涂覆与显影的多台设备的安装和调试工作，这些设备由泛林公司提供。干式光刻胶与传统湿式工艺不同，不采用溶液旋涂方式，也不需要溶剂进行清洗，而是直接将光刻胶沉积在晶圆表面，从而避免了因液体表面张力而导致的图案变形问题。此外，该技术还能提升光刻曝光效率，实现更精细的线路加工。

三星计划将基于1c nm工艺制造的DRAM用于其HBM4产品中。由于干式光刻胶可改善图形质量，有望为HBM4堆叠芯片的信号完整性与可靠性提供关键的物理基础。

另据资料显示，泛林公司曾在今年1月29日透露，其干式光刻胶技术已被一家领先的存储芯片制造商应用于最先进的DRAM生产流程中。