台积电2nm工艺试产良率超90%，计划2025年量产

台积电自2021年实现3nm工艺量产后，持续推进更先进的2nm工艺研发与生产准备。根据最新报道，这家芯片制造企业在去年7月便已在位于新竹科学园区的宝山厂启动2nm工艺的风险试产，比市场普遍预期的时间提前了一个季度。

目前最新的进展显示，台积电2nm工艺的试产良率已超过90%。此前在去年12月初已有消息称其良率突破60%，高于公司初期预期。短短半年时间内，良率提升了约30个百分点，标志着技术推进的速度和稳定性均表现良好。

良率是衡量晶圆制造效率的重要指标，代表每片晶圆中可正常工作的合格芯片比例。良率越高，意味着生产成本越低，产品的单位成本也随之下降。此外，良好的良率水平也增强了客户对台积电的信任，有助于其吸引更多订单，提升整体营收。

目前2nm工艺风险试产阶段的高良率，表明台积电在这一技术节点上已经具备向大规模量产迈进的基础。公司高层曾在多个场合透露，2nm工艺正按计划推进，目标是在2025年实现量产。