“特殊5nm工艺突破引关注，3nm挑战技术极限”

此前有消息称，即使不使用EUV光刻机，也能实现5nm芯片的制造。近期，一种采用全新技术路径的“特殊”5nm工艺浮出水面，引起关注。该工艺并未依赖EUV光刻设备，而是使用步进扫描光刻机，通过多重曝光技术达到了5nm线宽的要求。

那么，在没有EUV光刻机的情况下，是否有可能实现更先进的3nm工艺？根据最新信息，同一家曾实现5nm工艺的企业已经计划推出基于3nm工艺的AP（应用处理器），预计将在2025年面世。据悉，这款芯片将采用全环绕栅极（Gate-All-Around，GAA）技术，有助于提升性能并减少电流泄漏，这也是目前国际领先厂商在高端制程中所采用的核心技术之一。

不过，这一目标也面临不小的技术障碍，业界对此仍有较多疑虑，认为其可行性尚待验证。此前该企业正是通过深紫外光（DUV）光刻设备结合多重曝光手段，成功实现了5nm工艺的量产。因此市场推测，3nm工艺可能也将采用类似方式。

但与EUV相比，使用DUV进行多次曝光会使制造流程更加复杂，工艺步骤大幅增加，进而影响芯片生产的效率和成品率。因此，未来能否掌握EUV光刻技术，将成为其实现先进制程突破的关键所在。