消息称内存原厂考虑 HBM4 采用无助焊剂键合，进一步降低层间间隙

据韩媒 ETNews 报道，三星电子、SK 海力士和美光等内存厂商正在准备采用无助焊剂键合（Fluxless Bonding）技术，这一技术有望应用于下一代 HBM4 内存中。由于无凸块的混合键合技术尚未成熟，预计传统有凸块方案将继续成为主流键合技术。

HBM4 16Hi 的特点是更多的 DRAM Die 层次，这意味着需要进一步压缩层间间隙以保持整体堆栈高度在 775 μm 的限制内。然而，在现有 HBM 键合工艺中使用助焊剂会导致助焊剂残留在各 Die 之间扩大间隙，并提高整体堆栈高度。

消息人士透露，三大 HBM 内存厂商对无助焊剂键合技术的准备程度不同：美光在与合作伙伴测试工艺方面最为积极；SK 海力士考虑导入；而三星电子也对此密切关注。

报道还指出，在 HBM 内存的发展过程中，JEDEC 颁行的规范有可能放宽 HMB4 高度限制的要求，这样内存厂商就无需被迫转向使用混合键合技术。