铠侠将开发新型 CXL 接口存储器：功耗、位密度优于 DRAM、读取快于 NAND

铠侠日本当地时间11月7日宣布，其“创新型存储制造技术开发”提案已获得采纳。这是由日本新能源•产业技术综合开发机构（NEDO）“加强后 5G 信息和通信系统基础设施研究开发项目 / 先进半导体制造技术开发”计划所采纳的。

铠侠表示，在后 5G 信息和通信系统时代，随着AI普及等因素产生的数据量预计将会大幅增加，这将导致数据中心的数据处理和功耗进一步提高。因此，在数据中心中使用的存储器必须能够高速传输数据，并且需要具备高性能处理器之间的高效协作能力。同时，还需要提升容量、降低功耗。

为了实现这一目标，铠侠计划开发新型 CXL 接口存储器。这种新型存储器的目标是打造出比 DRAM 内存功耗更低、位密度更高的同时又比 NAND 闪存读取速度更快的产品。通过这样的改进，不仅可以提高存储器的效率，还能帮助节能。

据《日本经济新闻》报道，铠侠计划在未来三年内投资360亿日元（约合人民币16.77亿元）用于新型 CXL 存储器的开发。同时，日本经济产业省也提供了180亿日元（约合人民币8.39亿元）的补贴。相关产品有望在21世纪30年代早期实现商业化。