台积电称2nm工艺有重大改进 GAA晶体管将提高SRAM密度

台积电3nm制程节点上的SRAM单元与5nm制程节点基本无区别，这一消息证实了之前关于台积电在3nm制程中遇到SRAM单元缩小问题的传言。根据报道，随着新一代2nm制程节点的到来，SRAM单元的缩小问题似乎看到了希望。台积电将引入GAA晶体管架构，在HD SRAM位单元尺寸上取得了重大突破。

近年来，SRAM单元的扩展变得相当困难，但通过N2工艺，台积电最终成功地将HD SRAM位单元尺寸缩小了约10%，从而提高了SRAM密度。现代CPU、GPU和SoC设计非常依赖于大容量缓存来提高处理大批量数据的能力，并且从内存访问数据既消耗性能又耗电。因此，充足的SRAM对于优化性能至关重要。

展望未来，对高速缓存和SRAM需求将持续增长。因此，台积电在SRAM单元尺寸方面的成就显得尤为重要。今年12月举行的IEDM会议上，台积电将发表论文介绍他们关于2nm制程节点HD SRAM位单元尺寸约为0.0175μm²的成果。

值得一提的是，台积电将在今年第四季度推出其首款采用3nm工艺制造的智能手机芯片。这款芯片采用了创新的GAA晶体管架构，可以提供更好的性能和效率。同时，台积电还承诺继续投资于研发和技术创新，以保持其领先地位并满足市场需求。

总体而言，在高性能电子设备领域中，对于更小、更高效的SRAM单元的需求越来越高。台积电在这方面取得的成就对于整个行业来说都是一个重要的里程碑，并且预示着未来电子产品将越来越智能化、高效化。