三星电子宣布已成功开发出其首款24Gb GDDR7 DRAM,这款高性能存储解决方案适用于需要高性能存储的各个领域,包括数据中心、AI工作站等。该产品采用了第五代10纳米级DRAM制程技术,在保持封装尺寸相同的情况下,单单元密度提高了50%。此外,GDDR7还采用了脉冲幅度调制(PAM3)信号技术,使其速度在图形DRAM中达到40Gbps,比前代产品提高了25%。通过采用时钟控制管理和双电压(VDD)设计等方法,可大幅降低功耗,并实现超过30%的能效提升。
同时,24Gb GDDR7还采用了电源门控设计,以减少电流泄漏,在高速运行时具备较好稳定性。根据使用环境的不同,GDDR7的性能可以进一步提升至最高42.5Gbps。今年将在下一代AI计算系统中进行验证,并计划明年年初实现商业化。
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