佳能向美国得克萨斯电子研究所交付其最先进纳米压印光刻 NIL 系统

佳能宣布向总部位于美国得克萨斯州的半导体联盟得克萨斯电子研究所（TIE）交付先进的纳米压印光刻NIL系统FPA-1200NZ2C。该设备能够实现最小14nm线宽的图案化，支持5nm制程逻辑半导体生产，并将在TIE用于先进半导体的研发和原型的生产。

传统的光刻设备通过将高能光线投射到涂有光刻胶的晶圆上来塑造电路图形，而佳能FPA-1200NZ2C系统则通过将印有电路图形的掩模像印章一样压入晶圆上的光刻胶内来实现这一过程。由于其电路图形转移过程不经过光学步骤，NIL光刻设备可以在晶圆上忠实再现掩模中的精细电路图形。此外，NIL光刻设备还具有低功耗低成本的优势。

佳能押注“纳米压印”技术，在价格方面相比ASML EUV光刻机更具竞争力。佳能表示，他们的目标是最快在今年开始交付低成本纳米压印光刻设备，并希望能够帮助解决与先进半导体技术相关的问题。