韩国成功研发原子层沉积技术 可减少EUV工艺步骤

据韩国半导体公司周星工程最新研发出原子层沉积（ALD）技术，能够在生产先进工艺芯片中减少对极紫外光刻（EUV）工艺步骤的需求。EUV又称作超紫外线平版印刷术，是一种使用极紫外光波长的光刻技术，目前广泛应用于7纳米以下的先进制程。

周星工程董事长Chul Joo Hwang表示当前DRAM和逻辑芯片的扩展已经达到了极限，因此需要像NAND一样通过堆叠晶体管的方式解决这个问题。他表示半导体行业如果想要把晶体管微缩到更小尺寸，一种方案就是堆叠晶体管，其中一个证明是深紫外线（DUV）设备有望用于生产3D DRAM。

Hwang还说随着堆叠变得越来越重要，ALD机器的需求也将增加。III-V和IGZO等半导体材料的生产也需要ALD设备来实现。