三星量产第9代V-NAND闪存：功耗降低10%

三星半导体宣布，其最新的第九代V-NAND 1Tb TLC产品已经量产。这款产品的位密度比上一代产品提高了约50%，这是通过通道孔蚀刻技术来实现的。这一新技术特性的应用提高了产品的质量和可靠性，并且消除了虚通道孔，显著减少了存储单元的平面面积。

除此之外，三星还采用了“通道孔蚀刻”技术，在双层结构中同时钻孔，以达到最高单元层数，从而最大限度地提高了制造生产率。随着单元层数的增加，穿透更多单元的能力变得至关重要，这就对更复杂的蚀刻技术提出了要求。

第九代V-NAND产品配备了下一代NAND闪存接口“Toggle 5.1”，可以将数据输入/输出速度提高33%，最高可达每秒3.2千兆位（Gbps）。此外，三星还计划扩大对PCIe 5.0的支持来巩固其在高性能固态硬盘市场的地位。

与上一代产品相比，基于三星在低功耗设计方面取得的进步，第九代V-NAND的产品功耗也降低了10%。目前，三星已经开始量产第九代V-NAND 1Tb TLC产品，并计划在今年下半年开始量产四层单元（QLC）的第九代V-NAND。

据韩媒报道，三星第9代V-NAND闪存的堆叠层数是290层。然而，在学术会议上展示的则是280层堆叠的QLC闪存。值得注意的是，三星的第10代V-NAND闪存有望达到430层，进一步提升了堆叠方面的优势。