台积电1nm工艺已展开研发！或命名为A10

台积电（TSMC）最近在IEEE国际电子元件会议（IEDM 2023）上透露，其1.4nm制程节点的研发工作已全面展开，并取得了显著进展。这是台积电首次对外披露这一项目的开发情况，具体规格和量产时间目前尚未确定。

据报道，台积电的2nm工艺计划于明年年底量产，而1.4nm工艺预计将于2027年至2028年推出。然而，最新消息表明，台积电已经在为更遥远的1nm工艺做准备。它将成为首家计划生产1nm芯片的代工厂之一，这加剧了半导体行业的竞争和创新。

此前，在IEDM 2023上分享了一些相关信息：1nm工艺大约需要等待到2030年才能实现，并被命名为“A10”。随着CoWoS、InFO和SoIC等封装技术的进步，台积电预计到2030年左右可以打造出拥有万亿级晶体管容量的芯片。与英特尔类似地采用相同方法来实现这一目标，但面临一个关键问题：如何实现。最近，半导体行业一直困扰于收益率和产能问题。

据报道，台积电的1nm工艺项目将是一个昂贵的计划，预计总开发成本超过320亿美元。此外，该公司还计划新建一座晶圆厂，在中国台湾南部嘉义县建设总面积超过100公顷的设施，并按照60/40的比例划分，以满足半导体制造和封装的需求。

尽管先进工艺开发难度增大、投入增加，但台积电并未停止前进的步伐。除了1nm工厂外，公司还预计会建造多座2nm工厂。