SK海力士将升级无锡晶圆厂 采用第四代先进制程技术

根据韩媒《首尔经济日报》的报道，SK海力士公司计划在其位于无锡的C2工厂进行改造升级，将其转换为第四代（1a）D-RAM工艺。这种工艺可以达到10纳米级别。

无锡工厂是SK海力士的核心生产基地，约占该公司D-RAM总产量的40%。目前，该厂生产的是第二代（1y）和第三代（1z）D-RAM，这些产品都属于旧（传统）产品线。

报道称，在无锡工厂完成第四代D-RAM的部分工艺后，晶圆会运往韩国总部利川园区内使用EUV加工，并再次返回到无锡工厂。由于第四代产品只需要一个D-RAM层采用EUV工艺，因此该公司认为成本增加是值得的。

在2013年无锡工厂遭遇大火期间，SK海力士成功克服了D-RAM生产中断的困难，并积累了丰富的经验。对于关于无锡工厂工艺转型的具体信息，SK海力士表示无法确认公司的具体运营计划。