三星新研发低功耗内存 功耗仅为1.2pJ/bit

三星正积极研发一种新型内存技术，名为LLW DRAM，即低延迟宽I/O（Low Latency Wide I/O）DRAM。据称，这种内存将带来超高带宽、低延迟和超低功耗的完美结合。特别适用于需要在设备上运行大型语言模型的设备，但其广泛的性能优势也适用于各种客户端工作负载。

三星表示，LLW DRAM是一种低功耗内存，拥有宽I/O、低延迟特性，并且拥有高达128GB/s的带宽（每个模块或堆栈）。相比之下，一个128位DDR5-8000内存子系统可以提供类似的128GB/s带宽。同时，LLW DRAM的另一个重要特点是其超低功耗——只有1.2pJ/bit，在达到该功耗时的具体数据传输速率并未透露。

目前关于LLW DRAM的细节尚不多，但三星之前一直致力于探索宽接口内存技术（例如GDDR6W）。外界推测，LLW DRAM可能借鉴了GDDR6W的技术，并使用Fan-Out晶圆级封装(FOWLP)技术将多个DRAM器件集成到一个封装中以扩展接口并兼顾容量、性能和低功耗。

考虑到三星于2022年第二季度将GDDR6W标准化，并计划将其用于人工智能、高性能计算加速器和客户端PC领域，LLW DRAM可能定位于其他领域。考虑到该标准的低功耗特性，可以将其应用于具有AI功能的边缘计算设备、智能手机、笔记本电脑以及汽车领域。

需要注意的是，三星很少透露新技术上市时间，但从其公开的预期性能来看，研发进程应该已经接近尾声。