LS30 2023：第四代AMD EPYC 9004系列处理器为下一代数据中心奠定基础

ZAO 2023中关村在线年度观察推选年度领先解决方案Leading Solutions 30（以下简称LS30），为行业用户提供更好的选择，助力行业优质解决方案与技术方案。

中关村在线认为，AMD并未满足于在传统x86市场的快速发展，而是将目光望向了更为广阔的AI和云原生领域，第四代AMD EPYC 9004系列处理器（Genoa-X）就是很好的例证，在计算、网络、软件等领域全面发力，为智能时代的下一代数据中心奠定了坚实的基础。

在Genoa-X中，AMD增加了每核心的缓存数量，以满足较重的工作负载所需的高性能，降低所受带宽的影响。在一个芯片面积上，容纳了12个CCD，且每个CCD的L3缓存提升了三倍，I/O Die和CCD之间可以实现单连接和双连接。由于I/O结构没有改变，使得合作伙伴可以对新产品进行快速、无缝的设计、集成和部署。

AMD EPYC 9004系列处理器的核心数量达到128个，每颗CPU中具有混合的芯片组架构，核心为台积电代工的5纳米工艺，I/O Die则采用6纳米工艺。除了12通道4800 MHz内存频率、128个通道速度32Gbps+8个通道8Gbps之外，CXL 1.1、CXL 3等多种新的内存技术同样可以支持。安全性方面，该处理器支持数据定位、AMD- C ECC（内存自动纠错）、错误实时采集，以及SEV-SNP等安全增强的功能，并且支持AES 256 STS。

AMD EPYC 9004系列处理器的基础之上，采用AMD 3D V-Cache技术的第四代AMD EPYC处理器为技术计算带来了更强的体验，以支持计算流体动力学(CFD)、有限元分析(FEA)、电子设计自动化(EDA)和结构分析等严苛的工作负载，该处理器内置了96个Zen 4核心和1GB+三级缓存，可以在Ansys CFX中每天完成更多的设计任务，大幅加速产品开发。

3D堆叠得益于AMD的Chiplets技术，可以更好的发挥能效优势。通过芯片下方的3D缓存供电等设计，缓存容量得到了更好的扩展。3D V-Cache的内部互联密度要比2D封装大200倍，比Micro Bump 3D封装大15倍/能效高3倍。这样一来，就可以帮助Genoa-X较Genoa在处理EDA负载时的性能提升70%。将3D堆栈设计在CCD之上，与元器件之间的距离相近，再加上三倍的缓存提升和低功耗，是其达到高能效的重要原因。

LS30年度领先解决方案具备强大的核心技术和引领产业发展的领导力。依托于技术研发实力、技术创新能力以及技术拓展潜力，不断为用户提供运行速度更快、效能更好且体验更佳的主流应用技术、优质企业商业产品和解决方案，并持续推动产业发展。