长江存储推出第四代TLC三维闪存X3-9070

搭载晶栈®3.0架构，IO速度达2400MT/s

今日，长江存储科技有限责任公司（长江存储）在2022年闪存峰会（FMS）上正式发布了基于晶栈®（Xtacking）3.0技术的第四代TLC三维闪存X3-9070。相比长江存储上一代产品，X3-9070拥有更高的存储密度，更快的I/O速度，并采用6-plane设计，性能提升的同时功耗更低，进一步释放系统级产品潜能。

2018年问世以来，晶栈®（Xtacking）技术已成为长江存储助推闪存行业发展的关键动力之一。存储阵列和外围电路的混合键合工艺为闪存产品带来了更高的密度、更快的I/O速度和更短的产品上市周期。随着长江存储晶栈®3.0的推出，新一代X3系列闪存产品将为大数据、5G、智能物联（AloT）及其他领域的多样化应用带来新的机遇。

经历了晶栈®从1.0到3.0的迭代发展，长江存储在三维异构集成领域已积累了丰富的经验，并基于晶栈®技术成功打造了多款长江存储系统解决方案产品，包括SATA III、PCIe Gen3、Gen4固态硬盘，以及用于移动通信和其他嵌入式应用的eMMC、UFS等嵌入式存储产品，获得了行业合作伙伴的广泛好评。

“长江存储自研晶栈®3.0架构的问世是其在3D NAND赛道上的重要突破，” Forward Insights 创始人兼首席分析师 Gregory Wong表示，“事实证明，存储阵列和外围逻辑电路的混合键合技术对推动3D NAND 技术发展和创新至关重要。搭载先进的闪存技术晶栈®3.0平台，X3-9070是一个关键的行业里程碑。这也预示着，存储单元和外围逻辑电路混合键合的技术，将有望成为未来的行业主流。”

作为一款创新产品，长江存储X3-9070兼具出色的性能、更佳的耐用性以及高质量可靠性，并通过美国电子器件工程联合委员会（JEDEC）定义的多项测试标准。

X3-9070具有如下技术特点：

l 性能：X3-9070实现高达2400MT/s的I/O传输速率，符合ONFI5.0规范；相较于长江存储上一代产品实现了50%的性能提升；

l 密度：得益于晶栈®3.0的架构创新，X3-9070成为了长江存储密度较高的闪存颗粒产品，能够在更小的单颗芯片中实现1Tb的存储容量；

l 提升系统级产品体验：得益于创新的6-plane设计，X3-9070相比传统4-plane，性能提升50%以上，同时功耗降低25%，能效比显著提升，可为终端用户带来更具吸引力的总体拥有成本（TCO）。

长江存储执行副总裁陈轶表示：“X3-9070闪存颗粒是长江存储近年来在三维闪存领域的匠心之作，它拥有出色的性能表现和极高的存储密度，能够快速高效地应用于主流商用场景之中。面对蓬勃发展的5G、云计算、物联网、自动驾驶、人工智能等新技术带来的全新需求和挑战，长江存储将始终以晶栈®为基点，不断开发更多高品质闪存产品，协同上下游存储合作伙伴，用晶栈®为存储产业赋能，践行‘成为存储技术的领先者，全球半导体产业的核心价值贡献者’的使命和责任。”

长江存储致力于成为全球半导体产业链值得信赖的合作伙伴，持续拓展创新边界，推动三维闪存技术向更高、更快、更强发展。