入门级也用DR.MOS！梅捷H610 & B660主板同步首发-中关村在线

入门级也用DR.MOS！梅捷H610 & B660主板同步首发

迪迦

原创

2022-01-05 • 优质DIY领域创作者

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早在10月份，Intel12代酷睿首发只有一款Z690主板，虽然规格旗舰、用料高端，但同时价格也相对高昂。很多一般的用户玩家都在期待更主流亲民的B660和入门级的H610，它们搭配i5/i3处理器和DDR4内存，更受目前主流玩家用户所喜爱。

随着CES2022展会的到来，作为半导体行业和计算创新领域的全球领先厂商之一的Intel，正式发布H610、B660芯片组和对应的非“K”系列处理器。H610和B660的到来，意味着Intel600系主流芯片组已正式集结完毕。

从早前外媒TechPowerUp曝光的B660和H610芯片组规格来看，整体差异化并不大。定位主流中端的B660更适合普通用户，其芯片组拥有6 条PCIe 4.0通道和8条PCIe 3.0通道，并支持内存超频。而入门级定位的H610，除了没有直连CPU 的PCIe 4.0x4 NVMe 通道之外，对比B660芯片组还缺少6条 PCIe4.0的通道，在扩展性上会稍有不足。

作为成立于1985年，至今拥有37年板卡经验的传统板卡老品牌的梅捷，也同步发布旗下中端SAGA(传承版)、入门Classic(经典版)的H610、B660主板，具体型号有3款，SAGA传承B660M、CLASSIC经典B660M和CLASSIC经典H610M。

这次梅捷发布的H610和B660主板，最大的亮点是，竟然连入门级的H610主板，在供电用料上也采用了DR.MOS！

DR.MOS技术早期属于服务器主板先进技术，三合一封装的DR.MOS面积是分离MOSFET的1/4，功率密度是分离MOSFET的3倍，增加了超电压和超频的潜力。应用DR.MOS的主板能拥有节能、高效能超频、低温等特色。而目前，更多是只有中端或以上的主板才会在供电部分使用到这样DR.MOS。

那这三款主板的基本规格参数是怎样的呢？下面我们一起来看下！

SAGA 传承B660M

主板为245*245mm的MATX版型，整体外观设计根据荷兰几何抽象画派先驱——彼埃·蒙德里安的几何图形为绘画基本元素的设计理念，用平行线贯穿主板的散热装甲和丝印，整体感相当出色。

供电部分采用8+1相50ADR.MOS供电，外加1相VCC_AUX，共10相供电。PWM芯片方案采用RT3628AE，型号为SIC654的DR.MOS,单相最高支持50A供电电流，供电上方覆盖大面积的合金散热装甲。

内存方面，提供4根DDR4内存插槽，频率可以达到4800MHz，最大容量能够达到128GB。

PCIe x164.0显卡插槽配备了合金装甲，对于一些高端显卡来说，合金装甲插槽能有效降低因高端显卡过重或者反复插拔而导致插槽损毁的情况。

显卡插槽上下方和南桥下方分别是3个M.2插槽，均为PCIex4通道，支持nvme固态硬盘。另外还配备1条PCIex1和1条开放式接口PCIex4插槽，提供更多扩展可能。

另外，在PCIex1的右边还有一个PCIeE-KEY接口，玩家可根据需求，自行选择购买WiFi模块。当然少不了人性化的CLR_CMOS按钮，便于玩家在调试参数失败后快速重置设置。

I/O接口方面，1个HDMI、2个DP和1个VGA，支持4屏输出；4个USB2.0和2个USB3.2Gen1接口，满足日常使用；2.5G的有线网卡，提供更高速的互联传输体验。