第六代162层3D闪存技术已被研发

据外媒报道，近日，日本闪存芯片公司铠侠和西部数码联合宣布，目前已研发出第六代162层3D闪存技术。

据悉，这款第六代3D闪存采用了超越传统的先进架构。与第五代技术相比，其横向单元阵列密度增加了10%。此外，它降低了单位成本，并使每个晶圆的存储量增加了70%。

免责声明：凡标注转载/编译字样内容并非本站原创，转载目的在于传递更多信息，并不代表本网赞同其观点和对其真实性负责。