内存时序是什么？它对内存性能影响有多大？

内存时序和内存频率一样，都代表了一款内存性能的高低。

内存时序由4个数字组成，中间用破折号隔开，例如16-18-18-38

这些数字表示延迟，也就是内存的反应时间。当内存接收到CPU发来的指令后，通常需要几个时钟周期来处理它，比如访问某一块数据。所以，时间越短，内存性能越好。

频率和时序一起，共同决定了内存可以跑得多快。不过相比频率，时序由四位数字组成，每一个数字都代表不同的含义，在理解上自然更加复杂一些。

内存时序分别对应的参数为“CL-tRCD-tRP-tRAS”，单位为时间周期，它们的含义依次为：

CL（CASLatency）：列地址访问的延迟时间，是时序中最重要的参数。

tRCD（RASto CAS Delay）：内存行地址传输到列地址的延迟时间;

tRP（RASPrecharge Time）：内存行地址选通脉冲预充电时间;

tRAS（RASActive Time）：行地址激活的时间。

看完它们的含义是不是很懵圈？没关系，给你举个例子。

我们可以把内存存储数据的地方想象成上面这样，每个方格都存储着不同的数据。CPU需要什么数据，就向内存发来指令，比如想要的位置是C4。

接下来内存就要先确定数据具体在哪一行，所以时序的第二个参数tRCD就是代表这个时间，意思就是内存控制器接收到行的指令后，需要等待多长时间才能访问这一行。

由于这一行含有多个数据，内存并不能哪一个才是CPU需要找的，所以tRCD的值是一个估值。这就是为什么小幅改动这个值并不会影响内存的性能表现。

内存确定了行之后，要想找出数据，还得确定列。那么时序的第一个数字，也就是CL（CAS），表示内存确定了行数之后，还得等待多长时间才能访问具体列数的时间（时间周期）。

行列必然产生交点，也就是说确定了行数和列数之后，就能准确找到目标数据，所以CL是一个准确的值，任何改动都会影响目标数据的位置，所以它在时序当中是最关键的一个参数，对内存性能的发挥着举足轻重的作用。

内存时序的第三个参数tRP，就是如果我们已经确定了一行，还要再确定另外一行所需要等待的时间（时间周期）。

然后第四个参数tRAS，可以简单理解成是留个内存写入或者读取数据的一个时间，它一般接近于前三个参数的总和。

所以，在保障稳定性的前提下，内存时序越低越好。

那么，时序对内存性能影响有多大呢？

我们做了一个测试，在保持内存频率不变的情况下，内存性能随着时序的变小而不断变强。

不过相比之下，时序改变后，内存延迟的变化比内存读写速度的变化更加明显，这也说明了时序的影响侧重在延迟方面。

现在，关于时序，你搞懂了吗？