国产崛起？澜起DDR4全缓冲架构纳入国际标准

我们都知道在存储领域，DRAM内存及NAND闪存的国产率都基本是0，技术及产能主要掌握在三星、SK Hynix、美光、东芝等公司手中，尤其是高价值的DRAM内存芯片，三星、SK Hynix及美光三家公司占了全球95%的份额，国内厂商在这一行业目前基本没有话语权，但国产厂商一直在为此努力。

国内的DRAM内存芯片布局主要有合肥长鑫/兆易创新的内存芯片项目，除了DRAM芯片，国内还是一些公司主攻内存接口芯片，前不久宣布津逮系列国产X86处理器的杭州澜起科技就是其中之一，该公司正在申请国内的科创板上市，日前在招股书中披露了他们在DDR内存芯片上的技术进展及布局。

澜起科技成立于2004年，是全球内存接口芯片的主要供应商之一，发明了DDR4全缓冲“1+9”架构，最终被JEDEC国际标准采纳。公司凭借具有自主知识产权的高速、低功耗技术，为新一代服务器平台提供完全符合 JEDEC 标准的高性能内存接口解决方案，同时正积极参与DDR5 JEDEC 标准的制定，是全球可提供从DDR2到 DDR4内存全缓冲/半缓冲完整解决方案的主要供应商之一，在该领域拥有重要话语权。

随着半导体行业越来越激烈的竞争，希望国产厂商能够迅速崛起，实现科技自主，让我们不再受制于人，从而实现真正的自立自强。